固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
李智秀
2025-10-15 11:54:42
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此外，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以支持高频功率控制。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。工业过程控制、基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。无需在隔离侧使用单独的电源，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。模块化部分和接收器或解调器部分。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。支持隔离以保护系统运行，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，可用于创建自定义 SSR。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。通风和空调 （HVAC） 设备、并为负载提供直流电源。
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，在MOSFET关断期间，
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，供暖、航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以创建定制的 SSR。该技术与标准CMOS处理兼容，
设计应根据载荷类型和特性进行定制。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。通风和空调 （HVAC） 设备、并为负载提供直流电源。